IGBT和电力MOSFET的内部结构和开关特性的相似与不同之处

IGBT与MOSFET结构上的差别只是IGBT在VDMOS的背面增加了一个P型层。但就是增加了这么一个P型层，导致IGBT和MOSFET具有不同的工作机理和特性。

由于IGBT背面有一个P型层，IGBT在开通状态时，其N-漂移区能会发生强烈的电导调制效应，就是因为这个电导调制效应，导致IGBT的导通电阻约是MOSFET的1/3，其导通损耗较MOSFET小。但又就是因为电导调制效应，导致IGBT在关断时会存在拖尾电流，使IGBT的关断时间变长，关断损耗变大。

焊机用igbt管和mos管的区别

mos管一般用在小功率焊机上，mos管一般特性就是小电流比较稳定，成本低廉，小型号民用机用的比较多。igbt一般用在大功率焊机上，稳定性和频率比mos管更稳定，只是造价比较高，一般用在工业焊机。

根据焊机结构来说，mos管在逆变电源里使用数量比较多，单个安数在9-20a，做到较大型号的焊机，400a或者500a的时候使用数量在32-40个，长时间容易出现频率不齐的问题。igbt一般都是两个模块，只需要根据焊机型号来选择模块安数就可以了。肯定是igbt的好用。igbt是普遍用在工业机型上的元器件，耐压、电流安数、瓦数都要大很多。